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双向可控硅使用经典守则
更新时间:2019-08-13

  电流RIGT,直至负载电流达到RIL。这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑。

  要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须间,使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述条件。

  设计双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,+)。

  为减少杂波吸收,门极连线长度降至最低。返回线(或阴极)。若用硬线,用螺旋双线k或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法,选用H系列低灵敏度双向可控硅。

  若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题,在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。若高dICOM/dt可能引起问题,加入一几mH的电感和负载串联。另一种解决办法,采用Hi-Com双向可控硅。2014跑狗报论坛

  假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下列措施之一:

  负载上串联电感量为几H的不饱和电感,以限制dIT/dt;用MOV跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路。

  选用好的门极触发电路,避开3+象限工况,可以最大限度提高双向可控硅的dIT/dt承受能力。

  若双向可控硅的dIT/dt有可能被超出,负载上最好串联一个几H的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法:对电阻性负载采用零电压导通。

  器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力。固定,然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。

  为了长期可靠工作,应保证Rthj-a足够低,维持Tj不高于Tjmax,其值相应于可能的最高环境温度。


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